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Infineon Technologies IRFL4105TRPBF

MFG-Teilenummer
IRFL4105TRPBF
verfügbare Anzahl
25030 Stücke
Referenzpreis
USD 0.333872
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IRFL4105TRPBF.pdf
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IRFL4105TRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFL4105TRPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRFL4105TRPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFL4105TRPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-223
Paket / fall TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFL4105TRPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFL4105TRPBF-FT

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