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Herstellerteilenummer | IRFR120ZTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFR120ZTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFR120ZTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D-Pak |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR120ZTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFR120ZTR-FT |
GP1M003A040CG
Global Power Technologies Group
GP1M003A050CG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080CH
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GP1M003A090C
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GP1M005A040CG
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GP1M005A050CH
Global Power Technologies Group
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GP1M007A065CG
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GP1M008A025CG
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GP1M008A050CG
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A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
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Xilinx Inc.
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A3P250L-VQG100I
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