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Infineon Technologies IRFR12N25DPBF

Name: IRFR12N25DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR12N25DPBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (291 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFR12N25DPBF

verfügbare Anzahl: 15770 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFR12N25DPBF.pdf

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IRFR12N25DPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFR12N25DPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFR12N25DPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFR12N25DPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	810pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	144W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFR12N25DPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFR12N25DPBF-FT

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