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Infineon Technologies IRL6342PBF

Name: IRL6342PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL6342PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (526 reviews)

MFG-Teilenummer: IRL6342PBF

verfügbare Anzahl: 89890 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRL6342PBF.pdf

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IRL6342PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRL6342PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRL6342PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRL6342PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1025pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SO
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL6342PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRL6342PBF-FT

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