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Infineon Technologies IRLU3636PBF

Name: IRLU3636PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLU3636PBF
Price: 0.733592 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (793 reviews)

MFG-Teilenummer: IRLU3636PBF

verfügbare Anzahl: 79280 Stücke

Referenzpreis: USD 0.733592

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 50A IPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRLU3636PBF.pdf

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IRLU3636PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRLU3636PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRLU3636PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRLU3636PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3779pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	143W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I-PAK
Paket / fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLU3636PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRLU3636PBF-FT

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