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Herstellerteilenummer | ISC1210ER22NM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1210ER22NM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1210 |
ISC1210ER22NM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 22nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 640mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 50MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 1GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 50MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ER22NM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1210ER22NM-FT |
ISC1210EB1R0K
Vishay Dale
ISC1210EB1R2J
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel