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IXFA4N100Q Image

IXYS IXFA4N100Q

MFG-Teilenummer
IXFA4N100Q
verfügbare Anzahl
36120 Stücke
Referenzpreis
USD 5.536
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
HiPerFET™ MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXFA4N100Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFA4N100Q
Zukünftige Teilenummer FT-IXFA4N100Q
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HiPerFET™
IXFA4N100Q Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TO-263 (IXFA)
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFA4N100Q Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFA4N100Q-FT

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