Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFH26N50
Herstellerteilenummer | IXFH26N50 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFH26N50 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFH26N50 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 26A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH26N50 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFH26N50-FT |
IXTT2N300P3HV
IXYS
IXTT30N50L
IXYS
IXTT30N50P
IXYS
IXTT30N60P
IXYS
IXTT360N055T2
IXYS
IXTT3N200P3HV
IXYS
IXTT440N055T2
IXYS
IXTT500N04T2
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IXTT50P10
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IXTT52N30P
IXYS
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
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M1A3P400-FG484
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EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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