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IXYS IXTT3N200P3HV

Name: IXTT3N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: IXTT3N200P3HV
Price: 29.6 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (625 reviews)

MFG-Teilenummer: IXTT3N200P3HV

verfügbare Anzahl: 91260 Stücke

Referenzpreis: USD 29.6

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Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: - 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXTT3N200P3HV.pdf

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IXTT3N200P3HV Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXTT3N200P3HV
Zukünftige Teilenummer	FT-IXTT3N200P3HV
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
IXTT3N200P3HV Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	2000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1860pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	520W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-268
Paket / fall	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTT3N200P3HV Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXTT3N200P3HV-FT

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