Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFK210N17T
Herstellerteilenummer | IXFK210N17T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFK210N17T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GigaMOS™ |
IXFK210N17T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 170V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 210A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-264AA (IXFK) |
Paket / fall | TO-264-3, TO-264AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK210N17T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFK210N17T-FT |
IXFK32N100Q3
IXYS
IXFK32N80Q3
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IXFK90N20Q
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IXFK80N50Q3
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IXFK64N50Q3
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IXFL132N50P3
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IXFK150N30P3
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IXFB44N100Q3
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