Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFL100N50P
Herstellerteilenummer | IXFL100N50P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFL100N50P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFL100N50P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 625W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISOPLUS264™ |
Paket / fall | ISOPLUS264™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFL100N50P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFL100N50P-FT |
SUM50010E-GE3
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XC5VLX50-2FF324I
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XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
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