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IXYS IXFN170N10

MFG-Teilenummer
IXFN170N10
verfügbare Anzahl
52960 Stücke
Referenzpreis
USD 27.9568
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXFN170N10 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFN170N10
Zukünftige Teilenummer FT-IXFN170N10
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HiPerFET™
IXFN170N10 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 515nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B
Paket / fall SOT-227-4, miniBLOC
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN170N10 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFN170N10-FT

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