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Herstellerteilenummer | IXFN260N17T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFN260N17T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GigaMOS™ |
IXFN260N17T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 170V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 245A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 400nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 24000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1090W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN260N17T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFN260N17T-FT |
IXFN90N85X
IXYS
IXFN50N80Q2
IXYS
IXFN210N20P
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IXFN60N60
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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