Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFT15N100Q3
Herstellerteilenummer | IXFT15N100Q3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFT15N100Q3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFT15N100Q3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 15A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 690W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT15N100Q3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFT15N100Q3-FT |
IXTK170N10P
IXYS
IXTK17N120L
IXYS
IXTK200N10P
IXYS
IXTK20N150
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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