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Herstellerteilenummer | IXFT20N60Q |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFT20N60Q |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFT20N60Q Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT20N60Q Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFT20N60Q-FT |
IXFT15N100Q3
IXYS
IXFT12N100F
IXYS-RF
IXTT12N150HV
IXYS
IXTT4N150HV
IXYS
IXTT60N20L2
IXYS
IXTT82N25P
IXYS
IXFT70N20Q3
IXYS
IXFT94N30P3
IXYS
IXTT110N10L2
IXYS
IXTT90P10P
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel