Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFT320N10T2
Herstellerteilenummer | IXFT320N10T2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFT320N10T2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
IXFT320N10T2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 320A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 26000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1000W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT320N10T2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFT320N10T2-FT |
IXFK16N90Q
IXYS
IXFK170N10
IXYS
IXFK180N07
IXYS
IXFK180N085
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IXFK20N120
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EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
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M1AFS600-2FG256I
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
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AGL600V5-FGG144
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