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IXYS-RF IXFT6N100F

Name: IXFT6N100F
Brand: IXYS-RF
SKU: IXFT6N100F
Price: 8.024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (587 reviews)

MFG-Teilenummer: IXFT6N100F

verfügbare Anzahl: 11640 Stücke

Referenzpreis: USD 8.024

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Hersteller: IXYS-RF

Kurze Beschreibung: HiPerRF™ MOSFET N-CH 1000V 6A TO268

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXFT6N100F.pdf

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IXFT6N100F Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXFT6N100F
Zukünftige Teilenummer	FT-IXFT6N100F
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HiPerRF™
IXFT6N100F Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	180W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-268 (IXFT)
Paket / fall	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT6N100F Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXFT6N100F-FT

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