Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / IXGT10N170
Herstellerteilenummer | IXGT10N170 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXGT10N170 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXGT10N170 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1700V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 20A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 70A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 10A |
Leistung max | 110W |
Energie wechseln | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 32nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Testbedingung | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGT10N170 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXGT10N170-FT |
APT50GN120B2G
Microsemi Corporation
APT50GT120B2RDLG
Microsemi Corporation
APT35GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT64GA90B2D30
Microsemi Corporation
APT100GT60B2RG
Microsemi Corporation
APT102GA60B2
Microsemi Corporation
APT40GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT40GP90B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT50GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT75GN120B2G
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
XC2V1000-5BGG575C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289
Microsemi Corporation
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
A40MX02-FPQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4N
Intel