Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / IXGT10N170
Herstellerteilenummer | IXGT10N170 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXGT10N170 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXGT10N170 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1700V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 20A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 70A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 10A |
Leistung max | 110W |
Energie wechseln | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 32nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Testbedingung | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGT10N170 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXGT10N170-FT |
APT50GN120B2G
Microsemi Corporation
APT50GT120B2RDLG
Microsemi Corporation
APT35GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT64GA90B2D30
Microsemi Corporation
APT100GT60B2RG
Microsemi Corporation
APT102GA60B2
Microsemi Corporation
APT40GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT40GP90B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT50GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT75GN120B2G
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
10M50DAF484C6GES
Intel
EPF10K100EFC256-3
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
LCMXO640C-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31C7N
Intel
10AX057K2F40I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4N
Intel