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IXYS IXTA1N200P3HV

Name: IXTA1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA1N200P3HV
Price: 5.264 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (91 reviews)

MFG-Teilenummer: IXTA1N200P3HV

verfügbare Anzahl: 32060 Stücke

Referenzpreis: USD 5.264

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Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXTA1N200P3HV.pdf

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IXTA1N200P3HV Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXTA1N200P3HV
Zukünftige Teilenummer	FT-IXTA1N200P3HV
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
IXTA1N200P3HV Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	2000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	23.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	646pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-263 (IXTA)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA1N200P3HV Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXTA1N200P3HV-FT

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