Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTD1R4N60P 11
Herstellerteilenummer | IXTD1R4N60P 11 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTD1R4N60P 11 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarHV™ |
IXTD1R4N60P 11 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Die |
Paket / fall | Die |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTD1R4N60P 11 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTD1R4N60P 11-FT |
IXFD80N20Q-8XQ
IXYS
IXFF24N100
IXYS
IXFG55N50
IXYS
IXFH14N100Q
IXYS
IXFH1799
IXYS
IXFH1837
IXYS
IXFH32N48
IXYS
IXFH32N48Q
IXYS
IXFH35N30Q
IXYS
IXFH67N10Q
IXYS
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel