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IXYS IXTD1R4N60P 11

MFG-Teilenummer
IXTD1R4N60P 11
verfügbare Anzahl
17880 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
PolarHV™ MOSFET N-CH 600V
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXTD1R4N60P 11 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXTD1R4N60P 11
Zukünftige Teilenummer FT-IXTD1R4N60P 11
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie PolarHV™
IXTD1R4N60P 11 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package Die
Paket / fall Die
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD1R4N60P 11 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXTD1R4N60P 11-FT

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