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IXYS IXTD2N60P-1J

Name: IXTD2N60P-1J
Brand: IXYS
SKU: IXTD2N60P-1J
Availability: InStock
Rating: 4.6 (347 reviews)

MFG-Teilenummer: IXTD2N60P-1J

verfügbare Anzahl: 57610 Stücke

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Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: PolarHV™ MOSFET N-CH 600

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXTD2N60P-1J.pdf

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IXTD2N60P-1J Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXTD2N60P-1J
Zukünftige Teilenummer	FT-IXTD2N60P-1J
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PolarHV™
IXTD2N60P-1J Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Last Time Buy
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	56W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	Die
Paket / fall	Die
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD2N60P-1J Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXTD2N60P-1J-FT

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