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Herstellerteilenummer | IXTH13N80 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTH13N80 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MegaMOS™ |
IXTH13N80 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH13N80 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTH13N80-FT |
IXTH180N10T
IXYS
IXTH16P60P
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IXTH8P50
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
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