Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTH7P50
Herstellerteilenummer | IXTH7P50 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTH7P50 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTH7P50 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH7P50 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTH7P50-FT |
IXFR26N100P
IXYS
IXFR26N120P
IXYS
IXFR30N60P
IXYS
IXFR32N100P
IXYS
IXFR32N80P
IXYS
IXFR36N60P
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IXFR44N60
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A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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