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Herstellerteilenummer | IXTH22N50P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTH22N50P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarHV™ |
IXTH22N50P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2630pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 350W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH22N50P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTH22N50P-FT |
IXFR21N100Q
IXYS
IXFR24N100
IXYS
IXFR24N50
IXYS
IXFR24N50Q
IXYS
IXFR24N90Q
IXYS
IXFR25N90
IXYS
IXFR26N50
IXYS
IXFR26N50Q
IXYS
IXFR26N60Q
IXYS
IXFR27N80Q
IXYS
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel