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IXTH3N200P3HV Image

IXYS IXTH3N200P3HV

MFG-Teilenummer
IXTH3N200P3HV
verfügbare Anzahl
84590 Stücke
Referenzpreis
USD 17.392
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IXTH3N200P3HV.pdf
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IXTH3N200P3HV Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXTH3N200P3HV
Zukünftige Teilenummer FT-IXTH3N200P3HV
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
IXTH3N200P3HV Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 2000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH3N200P3HV Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXTH3N200P3HV-FT

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