Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTI12N50P
Herstellerteilenummer | IXTI12N50P |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXTI12N50P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Polar™ |
IXTI12N50P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-262 (I2PAK) |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTI12N50P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTI12N50P-FT |
IXFH35N30Q
IXYS
IXFH67N10Q
IXYS
IXFI7N80P
IXYS
IXFJ15N100Q
IXYS
IXFJ32N50
IXYS
IXFJ40N30
IXYS
IXFJ40N30Q
IXYS
IXFJ52N30Q
IXYS
IXFJ80N10Q
IXYS
IXFJ80N20Q
IXYS
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel