Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTM12N100
Herstellerteilenummer | IXTM12N100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTM12N100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GigaMOS™ |
IXTM12N100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-204AA |
Paket / fall | TO-204AA, TO-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTM12N100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTM12N100-FT |
IXFJ32N50
IXYS
IXFJ40N30
IXYS
IXFJ40N30Q
IXYS
IXFJ52N30Q
IXYS
IXFJ80N10Q
IXYS
IXFJ80N20Q
IXYS
IXFK14N100Q
IXYS
IXFK72N20
IXYS
IXFK80N10Q
IXYS
IXFL34N100
IXYS
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel