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IXYS IXTM12N100

MFG-Teilenummer
IXTM12N100
verfügbare Anzahl
49220 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
GigaMOS™ POWER MOSFET TO-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXTM12N100 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXTM12N100
Zukünftige Teilenummer FT-IXTM12N100
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie GigaMOS™
IXTM12N100 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-204AA
Paket / fall TO-204AA, TO-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTM12N100 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXTM12N100-FT

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