Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTN8N150L
Herstellerteilenummer | IXTN8N150L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTN8N150L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTN8N150L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 4A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 8V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 15V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 545W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN8N150L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTN8N150L-FT |
IXFH9N80Q
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IXTN60N50L2
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
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Intel
EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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