Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTR170P10P
Herstellerteilenummer | IXTR170P10P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTR170P10P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarP™ |
IXTR170P10P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 108A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 85A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 312W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISOPLUS247™ |
Paket / fall | ISOPLUS247™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTR170P10P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTR170P10P-FT |
IXFN64N50PD3
IXYS
IXFN66N50Q2
IXYS
IXFN72N55Q2
IXYS
IXFN73N30Q
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IXFN80N48
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IXFN80N50Q2
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IXTE250N10
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IXTN120N25
IXYS
IXTN120P20T
IXYS
IXTN21N100
IXYS
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel