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Herstellerteilenummer | IXTV26N60P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTV26N60P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarHV™ |
IXTV26N60P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 26A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 460W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PLUS220 |
Paket / fall | TO-220-3, Short Tab |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTV26N60P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTV26N60P-FT |
IXTN90P20P
IXYS
IXFN80N50
IXYS
IXFN220N20X3
IXYS
IXFN170N10
IXYS
IXTN36N50
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IXTN79N20
IXYS
IXFN180N20
IXYS
IXFN80N60P3
IXYS
IXFN100N50Q3
IXYS
IXFN130N30
IXYS
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel