Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTY1R6N50P
Herstellerteilenummer | IXTY1R6N50P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTY1R6N50P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarHV™ |
IXTY1R6N50P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 43W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY1R6N50P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTY1R6N50P-FT |
IRLR3715ZCTRLP
Infineon Technologies
IRLR3715ZPBF
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IRLR3715ZTR
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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