Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6117
Herstellerteilenummer | JAN1N6117 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6117 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6117 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 22.8V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 27.08V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 43.68V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 11.4A |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | B, Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6117 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6117-FT |
IP4340CX15/P,135
Nexperia USA Inc.
IP4342CX5/LF,135
NXP USA Inc.
IP4350CX24/LF,135
NXP USA Inc.
IP4357CX17,135
NXP USA Inc.
IP4363CX10/LF,135
NXP USA Inc.
JAN1N5555
Microsemi Corporation
JAN1N5556
Microsemi Corporation
JAN1N5558
Microsemi Corporation
JAN1N5610
Microsemi Corporation
JAN1N5612
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation