Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6118US
Herstellerteilenummer | JAN1N6118US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6118US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6118US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 25.1V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 29.83V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 47.99V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 10.36A |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6118US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6118US-FT |
JAN1N5558
Microsemi Corporation
JAN1N5610
Microsemi Corporation
JAN1N5612
Microsemi Corporation
JAN1N5629A
Microsemi Corporation
JAN1N5632A
Microsemi Corporation
JAN1N5635A
Microsemi Corporation
JAN1N5637A
Microsemi Corporation
JAN1N5639A
Microsemi Corporation
JAN1N5640A
Microsemi Corporation
JAN1N5642A
Microsemi Corporation
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
Microsemi Corporation
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel