Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6139US
Herstellerteilenummer | JAN1N6139US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6139US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6139US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5.7V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 6.78V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 11.76V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 127.21A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, C |
Supplier Device Package | C, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6139US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6139US-FT |
JAN1N6114US
Microsemi Corporation
JAN1N6115
Microsemi Corporation
JAN1N6115A
Microsemi Corporation
JAN1N6115AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6115US
Microsemi Corporation
JAN1N6116
Microsemi Corporation
JAN1N6116A
Microsemi Corporation
JAN1N6116AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6116US
Microsemi Corporation
JAN1N6117
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel