Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6170US
Herstellerteilenummer | JAN1N6170US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6170US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6170US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 114V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 135.38V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 216.62V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 6.94A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, C |
Supplier Device Package | C, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6170US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6170US-FT |
JAN1N6138
Microsemi Corporation
JAN1N6138A
Microsemi Corporation
JAN1N6138AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6138US
Microsemi Corporation
JAN1N6139
Microsemi Corporation
JAN1N6139AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6139US
Microsemi Corporation
JAN1N6140
Microsemi Corporation
JAN1N6140AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6140US
Microsemi Corporation
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN250-ZVQG100
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C8N
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
10AX022E3F29E2SG
Intel
EP4CE10E22C8LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7A200T-2FF1156I
Xilinx Inc.