Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6170
Herstellerteilenummer | JAN1N6170 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6170 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6170 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 114V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 135.38V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 216.62V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 6.94A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | C, Axial |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6170 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6170-FT |
JAN1N6137AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6137US
Microsemi Corporation
JAN1N6138
Microsemi Corporation
JAN1N6138A
Microsemi Corporation
JAN1N6138AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6138US
Microsemi Corporation
JAN1N6139
Microsemi Corporation
JAN1N6139AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6139US
Microsemi Corporation
JAN1N6140
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S400-4PQG208I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5N3F45I4N
Intel
5SGXMB6R1F43I2N
Intel
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C4
Intel
EP2S60F1020C4N
Intel