Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JANTX1N5809URS
Herstellerteilenummer | JANTX1N5809URS |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANTX1N5809URS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANTX1N5809URS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5809URS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTX1N5809URS-FT |
JAN1N6391
Microsemi Corporation
JAN1N6392
Microsemi Corporation
JAN1N645-1
Microsemi Corporation
JAN1N649-1
Microsemi Corporation
JAN1N6620
Microsemi Corporation
JAN1N6620U
Microsemi Corporation
JAN1N6621
Microsemi Corporation
JAN1N6621U
Microsemi Corporation
JAN1N6621US
Microsemi Corporation
JAN1N6622
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel