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Herstellerteilenummer | LB2016T3R3M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LB2016T3R3M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB |
LB2016T3R3M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 285mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 200 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 55MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2016T3R3M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LB2016T3R3M-FT |
LBR2518T220M
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LBR2518T2R2M
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XC6SLX45-3FG484C
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XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
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EP4SGX290KF43I4
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EP3SE80F1152C4
Intel
LFE3-70EA-9FN484C
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