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Herstellerteilenummer | LBR2012T4R7M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LBR2012T4R7M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LB, R Type |
LBR2012T4R7M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 200mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 240 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 45MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T4R7M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LBR2012T4R7M-FT |
LB2016T1R0MV
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LB2016T1R5M
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XC5VLX50-2FF1153I
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XC4036XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780C7N
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