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Herstellerteilenummer | LQW18AN22NG00D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LQW18AN22NG00D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LQW18 |
LQW18AN22NG00D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 22nH |
Toleranz | ±2% |
Aktuelle Bewertung | 500mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 170 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 250MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 4.6GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0603 (1608 Metric) |
Supplier Device Package | 0603 (1608 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN22NG00D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LQW18AN22NG00D-FT |
LQW18AS10NG0ZD
Murata Electronics North America
LQW18AS10NJ0ZD
Murata Electronics North America
LQW18AS11NG0ZD
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
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5AGXMA5G4F31C4N
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