Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / M27C512-10F1
Herstellerteilenummer | M27C512-10F1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-M27C512-10F1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
M27C512-10F1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EPROM |
Technologie | EPROM - UV |
Speichergröße | 512Kb (64K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 100ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Supplier Device Package | 28-CDIP Frit Seal with Window |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C512-10F1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | M27C512-10F1-FT |
TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel