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Herstellerteilenummer | M27C512-12F1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-M27C512-12F1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
M27C512-12F1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EPROM |
Technologie | EPROM - UV |
Speichergröße | 512Kb (64K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 120ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Supplier Device Package | 28-CDIP Frit Seal with Window |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C512-12F1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | M27C512-12F1-FT |
TH58NVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation