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Herstellerteilenummer | MBR20H100CT-E3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR20H100CT-E3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR20H100CT-E3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20H100CT-E3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR20H100CT-E3/4W-FT |
FEP16GT-1HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-5300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-5400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel