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Herstellerteilenummer | MBR20H100CTHE3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR20H100CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR20H100CTHE3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20H100CTHE3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR20H100CTHE3/45-FT |
FEP16GT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel