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Herstellerteilenummer | MBR20H35CT-E3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR20H35CT-E3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR20H35CT-E3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 35V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20H35CT-E3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR20H35CT-E3/45-FT |
FEP16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel