Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MBT35200MT1G
Herstellerteilenummer | MBT35200MT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBT35200MT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBT35200MT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 35V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V |
Leistung max | 625mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBT35200MT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBT35200MT1G-FT |
MJD18002D2T4G
ON Semiconductor
MJD200
ON Semiconductor
MJD200T4
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MJD210
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MJD243
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MJD253T4
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MJD2955
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A1010B-1VQ80I
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EX128-PTQG100I
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XC2V500-4FGG456C
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A54SX32A-CQ208M
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EP4CE75F23I8LN
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EPF10K30AFC256-3
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation