Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD200T5G
Herstellerteilenummer | MJD200T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD200T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD200T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Leistung max | 1.4W |
Frequenz - Übergang | 65MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD200T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD200T5G-FT |
MJD47G
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5SGXMA7K2F40I3N
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5SGXEA5K2F35I2N
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Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E1SG
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5AGXMA3D4F31C4G
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