Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / MC1413BDR2G
Herstellerteilenummer | MC1413BDR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MC1413BDR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MC1413BDR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 7 NPN Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Leistung max | - |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 16-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC1413BDR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MC1413BDR2G-FT |
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
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IMT17T110
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IMT17T208
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IMX17T108
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IMX17T110
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XC4003E-4VQ100C
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EP20K400EFI672-XES
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EP2AGZ300FH29I4N
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10M08SCU169C8G
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XC5VLX50-2FFG324C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281
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LFE3-70E-7FN1156I
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5CGXBC3B7F23C8N
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10AX115S3F45I2LG
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EP20K1000EBC652-2
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