Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / MC1413DR2G
Herstellerteilenummer | MC1413DR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MC1413DR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MC1413DR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 7 NPN Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Leistung max | - |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 16-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC1413DR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MC1413DR2G-FT |
BC846UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC856UE6327HTSA1
Infineon Technologies
HN1A01F-GR(TE85L,F
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HN1B01F-GR(TE85L,F
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IMT17T208
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IMT1AT108
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IMT3AT108
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XC4006E-3TQ144I
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XCV200E-8FG256C
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XCS30XL-5CS280C
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A3PE1500-1FG484I
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5SGXEA5K2F40C1N
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5SGXMA5N2F40I3LN
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XC4020XL-3BG256C
Xilinx Inc.
AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
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EP2S130F1508C3
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