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Herstellerteilenummer | MCQ12N06-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MCQ12N06-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MCQ12N06-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1988pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SOP |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCQ12N06-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MCQ12N06-TP-FT |
SI4646DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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